Basics of VLSI Design 7
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Sur Basics of VLSI Design
L’application est un manuel gratuit complet de VLSI avec des diagrammes et des graphiques. Il fait partie de l’électronique et de la formation en ingénierie des communications qui apporte des sujets importants, notes, nouvelles et blog sur le sujet. Téléchargez l’application comme guide de référence rapide et ebook sur ce sujet d’ingénierie électronique et de communication. L’application couvre plus de 90 sujets de VLSI Design en détail. Ces sujets sont divisés en 5 unités. Vous pouvez très facilement passer et réussir dans vos examens ou interviews, l’application fournit une révision rapide et la référence aux sujets comme une carte flash détaillée. Chaque sujet est complet avec des diagrammes, des équations et d’autres formes de représentations graphiques pour une compréhension facile. Voici quelques-uns des sujets abordés dans cette application : 1. Souvenirs semi-conducteurs :Introduction et types 2. Lire uniquement la mémoire (ROM) 3. Trois cellules transistor DRAM 4. Une cellule transistor DRAM 5. Mémoire flash 6. Low - Power CMOS Logic Circuits: Introduction 7. Conception d’onduleurs CMOS 8. Onduleurs MOS : introduction aux caractéristiques de commutation 9. Techniques basées sur l’analyse 10. Techniques intégrées d’auto-test (BIST) 11. Prospective historique de VLSI Design : Loi de Moore 12. Classification des types de circuits numériques CMOS 13. Un exemple de conception de circuit 14. Méthodologies VLSI Design 15. Flux VLSI Design 16. Hiérarchie du design 17. Concept de régularité, modularité et localité 18. Fabrication CMOS 19. Flux de processus de fabrication : Étapes de base 20. Fabrication du transistor nMOS 21. Fabrication CMOS : processus de puits p 22. Fabrication CMOS : processus n-well 23. Fabrication CMOS : processus de baignoire double 24. Diagrammes de bâton et conception de disposition de masque 25. Transistor MOS : structure physique 26. Le système MOS sous parti pris externe 27. Structure et fonctionnement du MOSFET 28. La tension seuil 29. Caractéristiques actuelles de tension de MOSFET 30. Mise à l’échelle mosfet 31. Effets de l’échelle 32. Effets de géométrie faible 33. Capacitances MOS 34. Onduleur MOS 35. Caractéristiques de transfert de tension (VTC) de l’onduleur MOS 36. Onduleurs avec charge MOSFET de type n 37. Onduleur de charge résistant 38. Conception d’onduleurs à charge d’épuisement 39. Onduleur CMOS 40. Définitions de délai de retard 41. Calcul des délais 42. Conception de l’onduleur avec contraintes de retard : Exemple 43. Circuits logiques MOS combinés : introduction 44. Mos Logic Circuits with Depletion nMOS Loads : Two-Input NOR Gate 45. Circuits logiques MOS avec charges nMOS d’épuisement : Structure NOR généralisée avec entrées multiples 46. MOS Logic Circuits with Depletion nMOS Loads : Analyse transitoire de la porte NOR 47. Circuits logiques MOS avec charges nMOS d’épuisement : Porte NAND à deux entrées 48. Circuits logiques MOS avec charges nMOS d’épuisement : Structure NAND généralisée avec entrées multiples 49. MOS Logic Circuits with Depletion nMOS Loads : Analyse transitoire de la porte NAND 50. Circuits logiques CMOS : NOR2 (deux entrées NOR ) porte 51. Porte CMOS NAND2 (deux entrées NAND) 52. Mise en page de simples portes logiques CMOS 53. Circuits logiques complexes 54. Portes logiques CMOS complexes 55. Disposition des portes logiques complexes CMOS 56. Portes AOI et OAI 57. Portes Pseudo-nMOS 58. Circuit CMOS Full-Adder & adder d’ondulation de transport 59. Portes de transmission CMOS (Portes de passage) 60. Logique transitoire complémentaire (CPL) 61. Circuits logiques MOS séquentiels : Introduction 62. Comportement des éléments bistables 63. Le circuit du loquet SR 64. Loquet SR caillé 65. Loquet JK caché 66. Flip-Flop Maître-Esclave 67. CMOS D-Latch et Edge-Triggered Flip-Flop 68. Circuits logiques dynamiques : Introduction 69. Principes de base des circuits Transistor pass