FeMOS 2.0

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FeMOS est une simulation de méthode d’élément fini de Double Gate MOSFET. Le calcul utilise la méthode de fonction de Non-equilibrium Green dans l’approche spatiale rapide en mode découplé.

historique de la version

  • Version 2.0 posté sur 2010-12-15
    Plusieurs correctifs et mises à jour
  • Version 2.0 posté sur 2010-12-15

Détails du programme